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吴嘉柯等在Adv. Mater.上发表关于基于双层晶体结构的高迁移率记忆型晶体管的工作

编辑:osladmin 时间:2015年07月09日 访问次数:2392

 

迁移率控制着器件的开关速率,因此在记忆型场效应晶体管中是一个非常关键的参数。经典的记忆型晶体管在整合记忆元件与有机半导体过程中,容易出现载流子传输界面粗糙的现象,导致其迁移率往往较低。利用正交溶剂,两步法生长得到的铁电分子和富勒烯[(3-Pyrrolinium)(CdCl3) - C60]双层单晶,用于制备结构新颖的记忆型场效应晶体管,可以很好地克服载流子传输界面粗糙问题,该器件最终得到了66 ± 7 V的记忆窗口以及1.28 ± 0.41 cm2 V−1 s−1的高迁移率。将这种正交溶剂法拓展后有望得到多种基于多层晶体的功能化晶体管。文章发表在Advanced Materials上。

 

Jiake Wu, Congcheng Fan, Guobiao Xue, Tao Ye, Shuang Liu, Ruoqian Lin, Hongzheng Chen, Huolin L. Xin, Ren-Gen Xiong,* and Hanying Li*, Interfacing Solution-Grown C60 and (3-Pyrrolinium)(CdCl3) Single Crystals for High-Mobility Transistor-Based Memory Devices, Adv. Mater. 2015, DOI: 10.1002/adma.201501577.

链接:http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201501577/full