高效的电子受体材料应当具有低能级、高迁移率等特点，非富勒烯受体材料还能表现出更好的吸收。低能级有利于激子的分离，高迁移率有利于载流子的传输，而更好的吸收可以捕获更多的光子以便产生更大的电流。基于这些设计原则，我们设计并合成了一种以芴为中心，以吡咯并吡咯二酮（DPP）为臂，以氰基噻吩为末端的线性小分子受体材料，F8-DPPTCN。因为氰基噻吩的吸电子性，F8-DPPTCN具有-3.65 eV的低LUMO能级；因为分子较好的平面性，F8-DPPTCN具有1.66 eV的窄带隙以及近红外的吸收。当F8-DPPTCN作为受体材料，与P3HT共混时，可以表现出2.37%的效率，相应的开路电压、短路电流和填充因子分别为0.97 V、6.25 mA cm-2和0.39。通过SCLC方法测得，P3HT:F8-DPPTCN共混膜可以表现出10-3 cm2 V-1 s-1左右的电子迁移率，这个迁移率接近于PCBM的电子迁移率。GIXD和RSoXS的形貌表征显示，F8-DPPTCN容易形成较大的相分离尺寸，这是由分子较好的平面性导致的，这也是限制器件效率的主要原因之一。相关工作发表在Journal of Materials Chemistry A上。

huixing Li, Jielin Yan, Chang-Zhi Li, Feng Liu,* Minmin Shi,* Hongzheng Chen* and Thomas P. Russell, J. Mater. Chem. A, 2016, 4, 3777-3783.

链接：http://dx.doi.org/10.1039/c6ta00056h